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供应3HAC14265-1 DSQC 539

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详细说明

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,如图1所示。其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。

IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。

IPM内部功能机制

IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠,缩短了系统开发时间,也提高了故障下的自保护能力。与普通的IGBT模块相比,IPM在系统性能及可靠性方面都有进一步的提高。

3E041775

3HNE04092-1 DSQC 505/506

6369901-177 DSQC 215

26390351-PF DSQC 224

3HAC020079-001

YB560105-DH DSQC 224

3HAC020633-001

3HAC022313-001

6369901-614

6369901-615

6369901-625

6369901-640

3HAC16014-1 DSQC 562

3HNE8101-1

3E041460

6369901-617

6369901-383

6369901-454

6369901-467

YB560103-BP DSQC 231

3HAC020150-001 DSQC 62

 
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